Pruebas y análisis de las características CV de los dispositivos MOSFET

Las capacitancias parásitas generalmente se refieren a las características de capacitancia de inductores, resistencias, conectores de chips y otros componentes en condiciones de alta frecuencia.

A altas frecuencias, las capacitancias equivalentes causadas por resistencias, condensadores, inductores, diodos, transistores y, especialmente, MOSFETs pueden aumentar significativamente y no deben pasarse por alto.

Las capacitancias parásitas de un MOSFET son parámetros dinámicos que influyen directamente en el comportamiento de conmutación del dispositivo. Algunos parámetros parásitos importantes de los semiconductores de potencia son:

  • Capacidad de entrada CISS
  • Capacidad de producción de Coss
  • Capacidad de realimentación CRSS
  • Resistencia de repuesto de la serie Rg Gate

Estos parámetros deben medirse y analizarse con precisión tanto durante la investigación y el desarrollo como durante la fabricación .

Detalles de la solución

Requisitos de la prueba:

CISS – Capacidad de entrada

Al cortocircuitar el drenador y la fuente, se mide la capacitancia entre la puerta y la fuente mediante una señal de corriente alterna. Este valor corresponde a la capacitancia de entrada.

Coss – Capacidad de producción

Al cortocircuitar la puerta y la fuente, se mide la capacitancia entre el drenador y la fuente mediante una señal de corriente alterna. Este valor corresponde a la capacitancia de salida.

CRSS – Capacidad de transmisión de retorno

Con la fuente conectada a tierra, se mide la capacitancia entre el drenador y la compuerta. Este valor corresponde a la capacidad de transmisión de retorno.

Rg – Resistencia de repuesto de la serie Gate

Medición de la resistencia equivalente en serie entre la puerta y la fuente.

Las soluciones actualmente disponibles en el mercado para la prueba de características CV de semiconductores suelen constar de varios componentes, entre los que se incluyen:

  • al menos un puente de medición
  • una fuente de voltaje
  • un dispositivo de medición de polarización de CC
  • un sistema de conmutación matricial
  • un PC de control
  • software de control y análisis apropiado

La configuración y puesta en marcha de estos sistemas son muy complejas. Además, la estabilidad de las pruebas suele ser limitada.

 

  • El analizador de características CV de semiconductores de la serie TH510 fue desarrollado específicamente por Tonghui Electronics para el desarrollo y la producción de materiales y componentes semiconductores.

    El dispositivo presenta un diseño integrado y puede mostrar cuatro parámetros simultáneamente. Esto permite que un solo dispositivo de medición:

    • Clasificación rápida y pruebas automatizadas en líneas de producción
    • procesos de pruebas integradas
    • Desarrollo de laboratorio y análisis detallado

    La serie TH510 incorpora una fuente de alimentación de alto voltaje de 1500 V con alta precisión de medición. Además, el sistema se puede ampliar hasta 6 canales , lo cual es especialmente importante para los requisitos de pruebas modulares de la industria IGBT .


    Lista de instrumentos

    • TH511